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Brazo robótico de oblea de cerámica Al2O3 ZrO2 para semiconductores

Brazo robótico de oblea de cerámica Al2O3 ZrO2 para semiconductores

Brazo robótico de oblea de alúmina y zirconio Es la estructura básica de los equipos automatizados de alta gama, lo que permite un funcionamiento rápido, preciso y limpio. Gracias a las propiedades superiores inherentes del material (ligereza, resistencia, estabilidad y limpieza), satisface los requisitos extremos de velocidad, precisión y compatibilidad ambiental de los robots industriales en campos de vanguardia como los semiconductores y la electrónica, sirviendo como la "pieza de precisión" de la fabricación inteligente moderna.

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Al2O3ZrO2 Brazo robótico de oblea para semiconductores

Posicionamiento del producto

Cerámica de alto rendimiento Brazo robótico de obleaDiseñado para la transmisión precisa de obleas de 300 mm/450 mm y portadores/bandejas de obleas. Fabricado con alúmina (Al₂O₃) de alta pureza superior al 99,5 %, es adecuado para la recogida y colocación de obleas y la transmisión de posicionamiento en EFEM (Módulo Frontal de Equipo), Cámaras de Transferencia de Vacío y equipos de proceso de alta temperatura.

 

Ventajas tecnológicas fundamentales

1. Máxima limpieza y control de contaminación por cero metales

(1) Pureza del material: se utiliza alúmina de alta pureza del 99,5 % al 99,8 %, con contenido de impurezas metálicas. <50 ppm, lo que garantiza que no haya precipitación de iones metálicos como Fe, Cu y Na.

(2) Características de la superficie: pulido espejo a Ra≤0,1 μm, sin estructura porosa, lo que elimina el desprendimiento de partículas.

(3) Compatibilidad al vacío: El tratamiento de horneado al vacío garantiza una pérdida total de masa (TML) <0,1%, que cumple con los requisitos de sala limpia de clase 1 y entorno de alto vacío (

2. Control de descarga electrostática (ESD): protección a nivel de oblea

(1)Diseño de disipación electrostática: Cerámica disipativa electrostática sinterizada integral opcional (sin recubrimiento), con resistividad de superficie controlada con precisión a 10⁶–10⁹ Ω/sq.

(2) Control de presión electrostática: Potencial electrostático de superficie <50 V tras la prueba de fricción, lo que previene eficazmente daños por descargas electrostáticas (ESD) en circuitos a escala nanométrica.

(3) Sin riesgo de desprendimiento de revestimiento: la estructura antiestática moldeada de una sola pieza evita la contaminación de partículas causada por el desprendimiento de los revestimientos conductores tradicionales durante el uso.

3. Precisión de transmisión a nivel micrométrico

(1) Precisión geométrica: Planitud ≤0,005 mm, paralelismo ≤0,003 mm, lo que garantiza la repetibilidad del posicionamiento de la oblea durante los procesos de fotolitografía y alineación.

(2) Estabilidad térmica: Coeficiente de expansión térmica (CTE) ~7×10⁻⁶/K, excelente adaptación térmica con obleas de silicio (2,6×10⁻⁶/K), manteniendo la estabilidad dimensional dentro del rango de temperatura del proceso de 100-300 °C.

(3) Ligereza y alta rigidez: densidad de solo 3,8 g/cm³, 35 % más liviana que la aleación de aluminio, módulo elástico ~300 GPa, logrando una transmisión sin vibraciones bajo alta aceleración (>3 g) de brazos robóticos.

4.Sistema de adsorción al vacío multifuncional

(1) Retención de vacío de larga duración: la estructura de ranura de vacío diseñada con precisión puede mantener presiones de -85 kPa a -80 kPa durante más de 60 segundos y de -80 kPa a -25 kPa durante más de 35 segundos durante una prueba de retención automática de vacío, lo que garantiza la seguridad de la oblea en caso de una interrupción repentina del gas.

(2) Daño por contacto bajo: la ranura de adsorción al vacío, combinada con un diseño de suspensión Bernoulli, genera tensión de contacto. <0,1 MPa, adecuado para la manipulación segura de obleas delgadas (<100μm) y obleas deformadas.

 

Líneas de productos y opciones de personalización

Tipo de productoCaracterísticas técnicasEscenarios aplicables
Tipo de succión al vacíoAdsorción en tanque de vacío/cerámica porosa, compatible con obleas de 4 a 12 pulgadasCarga de obleas EFEM, transferencia de Loadlock, carga y descarga de equipos CMP
Tipo BernoulliUtilizando el principio de suspensión del flujo de aire, el espacio entre la oblea y el brazo es de 0,1 a 0,3 mm.Obleas de película sensibles, procesos sin contacto en la parte posterior, obleas ultrafinas (<50 μm)
Tipo de agarre de bordeSujeta mecánicamente el borde de la oblea, consiguiendo un contacto cero entre los lados frontal y posterior.Equipos de litografía y medición de doble cara
Tipo de bandeja integradaBandeja portadora de obleas integrada, que admite la transferencia por lotes de múltiples obleas.Equipos de proceso por lotes, proceso de recocido
Grado de alta temperaturaPuede soportar temperaturas instantáneas superiores a 600°C y se utiliza en transporte en caliente.Equipos de CVD, PVD y RTP (procesamiento térmico rápido)

 

Escenarios de aplicación clave

1. EFEM y sistemas de carga de obleasTransferencia

(1) Obleas de 300 mm/450 mm entre FOUP (contenedor de obleas de apertura frontal) y el equipo de proceso.

(2) Coincide con la expansión térmica de las obleas de silicio, evitando la deriva de posicionamiento causada por los ciclos de temperatura.

2. Transferencia de cámara de proceso de alta temperatura:

(1)Equipo CVD/PVD: Resiste entornos de procesos de alta temperatura (>300 °C), sin deformación térmica ni desgasificación.

(2)Horno de difusión: Realiza la carga y descarga de obleas en zonas de alta temperatura superiores a 1000°C, reemplazando los brazos metálicos para evitar la contaminación por conducción de calor.

3. Procesos de limpieza y banco húmedo

(1) Resistente a la corrosión por ácidos fuertes (HF, HCl) y álcalis fuertes (KOH, NH₄OH), adecuado para transferencia de secado después de la limpieza y el grabado de obleas (secador Marangoni).

4. Empaquetado y pruebas avanzados

(1)Manejo de obleas adelgazadas: evita la rotura de la oblea utilizando el principio de Bernoulli.

(2)Dispositivos sensibles a ESD Tratamiento de dispositivos: Protección cerámica disipativa para evitar daños en el dispositivo

 

Especificaciones técnicas

Indicadores de desempeñoPresupuesto
MaterialAlúmina de alta pureza (Al₂O₃ ≥99,5%), con tipo dopado antiestático opcional.
Tamaño de oblea aplicableDe 4 pulgadas (100 mm) a 12 pulgadas (300 mm), con tamaños personalizados de 450 mm disponibles.
Llanura≤0,005 mm (superficie crítica de adsorción)
Rugosidad de la superficieRa≤0,1 μm (grado de espejo), el grado de súper espejo Ra≤0,02 μm es opcional.
Resistividad superficialTipo aislante: >10¹⁴ Ω·cm; Tipo disipativo estático: 10⁶–10⁹ Ω/sq
Capacidad de retención de vacíoTiempo de retención >60 segundos a -85 kPa (prueba estándar)
Rango de temperaturaTemperatura de funcionamiento a largo plazo: de -50 °C a +350 °C; Temperatura máxima a corto plazo: +600 °C
Resistencia a la flexión≥350 MPa
Precipitación de metales<1 ppb (prueba de inmersión en agua desionizada)
Clase de sala limpiaCumple con la norma ISO Clase 1 y validado por limpieza a vapor IPA y limpieza ultrasónica.

 

Normas de calidad y certificación

Certificación de materiales: Proporciona informes de análisis de composición de materiales (ICP-MS), compatibles con los estándares SEMI.

Verificación de limpieza: Cumple con las especificaciones SEMI F57 (sistemas de fluidos de alta pureza) y SEMI E78 (control electrostático).

Estándares de tamaño: sigue los estándares SEMI M1 (dimensiones de oblea) y SEMI E1.9 (interfaces mecánicas).

Sistema de Gestión de Calidad: Certificado ISO 9001, apoya el proceso PPAP (Proceso de Aprobación de Piezas de Producción) de la industria de semiconductores.

 

Servicios personalizados

Ofrecemos personalización de extremo a extremo desde la selección de materiales, simulación de dinámica de fluidos, mecanizado de precisión hasta limpieza de salas blancas: (1) Diseño de bucle de vacío: optimice el tamaño de los poros y el diseño del canal en función de la presión de la fuente de vacío del cliente para garantizar una adsorción uniforme. (2) Personalización de protección ESD: ajuste con precisión la resistividad de la superficie (rango de 10⁴–10¹¹ Ω) para que coincida con los requisitos de seguridad electrostática del proceso específico. (3) Estructura liviana: reduzca el peso en un 20-30% mientras mantiene la rigidez a través de la optimización de la topología y el diseño de la estructura de la cavidad. (4) Marcado y trazabilidad: admita el marcado láser o el grabado mecánico para cumplir con los requisitos de trazabilidad de los componentes semiconductores.

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